大多数汽车MCU具有片上嵌入式闪存，其中包含复杂而详尽的指令代码。尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中，并且是非易失性存储器技术的典范，但关于嵌入式闪存技术仍有一些错误的观念，这...
基础电子 时间：2020/1/9 阅读：632
三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪...
设计应用 时间：2016/7/13 阅读：3727
飞思卡尔半导体近期宣布针对其下一代微控制器（MCU）平台提供90纳米（nm）薄膜存储器（TFS）闪存技术。这种先进技术预计将会针对正在应用的飞思卡尔MCU中部署，还有消费电子、医疗器械、家用电器及智能计量系统等各种产业。飞思卡尔同时...
新品速递 时间：2011/9/3 阅读：5569
２００８年的到来，使人们对３Ｇ的应用更加期待。运营商、芯片厂商、终端制造商、内容提供商纷纷开始提供３Ｇ产品和解决方案，为用户带来了许多全新的体验。那么，闪存技术能为３Ｇ盛宴带来什么？下一代手机将有更多功能服务的应用可使用...
基础电子 时间：2008/9/3 阅读：1726
对于许多消费类音视频产品而言，ＮＡＮＤ闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过４ＧＢ的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，ＮＡＮＤ正被证明极具吸引力。 ＮＡＮＤ闪存阵...
基础电子 时间：2008/9/1 阅读：1927
恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。根据新协议，恒忆和海力士将扩...
新品速递 时间：2008/8/19 阅读：1588
据国外媒体报道，英特尔和美光科技于近日公布了一项高速的NAND闪存技术，传输速度是现有NAND闪存的5倍之多。这项高速NAND闪存技术是由英特尔和美光共同开发而成，该技术符合最新的接口规范定义，即所谓的开放式NAND闪存接口(ONFi)工作组...
基础电子 时间：2008/2/18 阅读：1484
意法发布70nm工艺NAND闪存进入NAND闪存技术的先进行列
意法半导体日前宣布，该公司采用70nm制造工艺的NAND闪存产品已全线上市。512-Mbit(小页)和1/2/4/8-Gbit(大页)闪存升级到ST的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。 高密度的存储...
新品速递 时间：2007/12/3 阅读：1488
