美光推出全新数据中心SSD，量产第九代 NAND 闪存技术产品
近日，美光科技股份有限公司宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD和第九代NAND 闪存技术产品。在7月31日举行的媒体交流会上，美光相关产品负责人对两款产品的技...
良率已达99.999% 长江存储Xtacking闪存技术定名“晶栈”
昨晚的发布会上，长江存储旗下品牌致态推出了新一代旗舰级SSD硬盘TiPro7000系列，支持PCIeGen4，很高读取速度7400MB/s，，基本贴着Gen4X4的带宽上限了，性能非常强大。 ...
分类：新品快报 时间：2022/1/4 阅读：2359
西部数据公司宣布推出其用于5G智能手机的第二代UFS3.1存储解决方案——西部数据iNANDTMMCEU551嵌入式闪存器件。 “智能手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分。”西部数...
分类：业界动态 时间：2021/8/6 阅读：2717
美光放弃 3D XPoint 闪存技术，宣布向德州仪器出售芯片工厂：入手约 15 亿美元
美光公司今天宣布，它已经达成了一项最终协议，以9亿美元的现金将其位于犹他州Lehi的工厂出售给德州仪器。今年3月，美光就宣布计划出售该工厂，从而结束其与英特尔共同开发...
分类：业界动态 时间：2021/7/2 阅读：26150
华为在北京举办了主题为“探讨闪存未来发展之道，推动产业共赢”首届华为闪存技术论坛，在业界首次提出面向应用感知的存储创新理念和未来SSD发展新形态。华为智能计算提出希望与广大客户、合作伙伴、Flash厂家、标准组织、高校、媒体等存...
分类：名企新闻 时间：2019/5/9 阅读：445 关键词：闪存技术
深圳市朗科科技股份有限公司（下称朗科公司）发布公告称，其于7月28日收到了美国新泽西州联邦地区法院仲裁员Hon.William G.Bassler签发的《最终裁决书》，裁定美国PNY Technologies,Inc.（美国必恩威科技股份有限公司，下称PNY公司）应向...
分类：名企新闻 时间：2018/8/18 阅读：480
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，而两家合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（简称QLC）产品。其中仍在使用TLC的东芝公司发布一款三级单元...
分类：新品快报 时间：2018/7/25 阅读：566 关键词：3D NAND闪存
本周，Intel宣布和美光的闪存合作将在2019年初终止，不过犹他州Lehi工厂的3D Xpoint研发制造除外。实质上，双方的合资企业IM Flash Technologies （IMFT）在2012年就“名存...
北京时间12月26日下午消息，紫光集团通过微信发布声明称，有关“与SK海力士就芯片闪存技术许可进行谈判与合作”的消息为市场传言，完全没有事实依据。 声明表示，紫光并...
东芝的业务要分拆出售了，目前包括在内的各大科技公司都对东芝的闪存芯片业务感兴趣，纷纷出价竞购。经常看苹果设备拆解的用户不会陌生，东芝的闪存芯片部门是苹果的合作伙...
分类：业界动态 时间：2017/4/5 阅读：346 关键词：东芝
东芝闪存芯片北京时间10月8日消息，据台湾《电子时报》报道，业界消息称，东芝和SanDisk联合开发NAND闪存技术，两家公司成为了紫光集团的收购新目标。紫光集团旗下紫光股份有限公司已经达成了一项交易，收购存储公司西部数据15%股份。消...
分类：业界要闻 时间：2015/10/10 阅读：735
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布 其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获
2015年5月15日，全球的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——MicrochipTechnologyInc.（美国微芯科技公司）通过其子公司SiliconStorageTechnology（SST）与先进半导体制造技术
分类：名企新闻 时间：2015/5/27 阅读：525 关键词：Silicon
韩国三星电子（SamsungElectronics）在“2011SymposiumonVLSITechnology”上，就1Xnm工艺以后有望实现量产的三维单元NAND闪存以及新型非易失性存储器的概要发表了特邀演讲。据调查公司预测，由于智能手机和平
分类：名企新闻 时间：2011/6/21 阅读：989 关键词：NAND
美光科技(MicronTechnologyInc.)宣布，美光获奖的25nmNAND已获日立LG数据储存公司(Hitachi-LGDataStorageInc.简称HLDS)采用作为其新型混合光驱(ODD)的闪存解决方案。此款采用美光25nmNAN
分类：业界要闻 时间：2010/10/29 阅读：429 关键词：NAND
近期三星（Samsung）和东芝（Toshiba）共同宣布，两家公司将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存，即toggleDDR2.0规范。最初的SDRNAND闪存架构接口速度仅为40Mbps，现行的DD
