闪存存储

闪存存储技术

新一代石墨烯存储器终将替代闪存存储器

石墨烯是一种二维晶体,最大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1/300,远远超过了电子在一般导体中的运动速度。这使得石墨烯中的电子,或更准确地,应称为“载荷子”(electricchargecarrier),的性质和相对论性的中微子非常相似。...

其它 时间:2011/9/5 阅读:1886

基于FPGA的闪存存储器

闪存(FlashMemory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NORFlash为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只

其它 时间:2011/8/25 阅读:1603

Toshiba推出业界嵌入式NAND闪存存储器模块

Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块,是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容,设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份,批量生产将在2010年第

新品速递 时间:2010/7/7 阅读:3321

三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器

近日,三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界20纳米级(nm)NAND芯片,用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32Gb MLC NAND产品采用技术,扩展三星电子公司的存...

新品速递 时间:2010/5/18 阅读:3415

利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储的容量

半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力,因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功,加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问题,已经激起业界对氮...

基础电子 时间:2009/6/5 阅读:2100

瑞萨科技发布世界上速度最快的4千兆位AG-AND型闪存存储器

目前,瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R4千兆位(Gbit)AG-AND*1型闪存存储器,可以提供世界上最快的10M字节/秒编程速度,用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月,将从日本开始样品发货,

新品速递 时间:2007/10/8 阅读:1436

在计算机及外设应用中使用串行闪存存储代码

计算机及外设市场的需求半导体工业的进步,特别是对存储器的容量、数据处理时间和速度要求更高的高速处理器的发展,是推进计算机及外设市场发展的主要动力,例如,打印机正在成为多功能设备,并集成了更多的智能功能。同时,降低成本和集...

设计应用 时间:2007/9/30 阅读:2076

利用MirrorBit Quad技术提高闪存存储容量

半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力,因为他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得成功,加之浮栅技术在满足更小工艺节点上可以预见到的问题,已经激起业界对氮...

技术方案 时间:2007/8/4 阅读:84