在半导体功率器件领域，如何解决散热问题一直是提升器件性能和可靠性的关键挑战。金刚石作为已知热导率最高的材料，具有优异的热学性能；而氮化镓（GaN）凭借其宽带隙、高电子迁移率等特性，在高频、高功率器件方面展现出巨大潜力。将金...
基础电子 时间：2026/9/4 阅读：367
尺寸缩小 50%、效率不打折：集成式 GaN 转换器的四大关键进展
在当今电子技术飞速发展的时代，对于更高功率密度的追求持续影响着大电流电源的每一项关键设计决策。数据中心和计算基础设施的迅猛发展，让传统电源架构面临着巨大压力。从...
设计应用 时间：2026/7/20 阅读：215
在通信射频领域，传统基站射频功率放大器大多选用 LDMOS 管子，以追求性价比。然而，随着工程师们对整机性能的要求不断提高，高性能氮化镓（GaN）器件、碳化硅基氮化镓功放等新方案逐渐成为首选。但 GaN 器件与常规 LDMOS 场效应管存在显...
基础电子 时间：2026/7/2 阅读：502
在半导体技术飞速发展的今天，GaN HEMT 器件凭借其独特的性能优势，在电子领域展现出了巨大的应用潜力。继上一篇屏蔽栅 MOSFET 技术简介后，我们这次将深入介绍 GaN HEMT 器件的结构、工作模式、应用领域以及面临的挑战。 GaN 半导体...
基础电子 时间：2025/9/3 阅读：676
U8726AHE 氮化镓电源 IC 集成高压 E - GaN 和启动电路优势
随着半导体技术的不断发展，芯片尺寸持续缩小。在这一过程中，一个关键问题逐渐凸显：电场强度会随芯片尺寸的减小而线性增加。若电源电压保持恒定，产生的电场强度极有可能...
设计应用 时间：2025/8/20 阅读：806
基于 TI GaN FET 的 10kW 单相串式逆变器设计方案
随着全球对能源可持续性和能源安全的关注度不断提升，储能系统的需求在住宅太阳能装置等领域呈现出加速增长的态势。在当前市场上，存在功率高达 2kW 且带有集成式储能系统...
技术方案 时间：2025/7/16 阅读：599
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。 应用背景 近年来，氮化镓...
新品速递 时间：2025/6/4 阅读：1492
例如，典型的交流/直流电动汽车车载充电器（OBC）实施了一个初始的功率因数校正（PFC）阶段和一个后续的 DC/DC 阶段，该阶段由笨重的“DC-link”电容器缓冲。这种拓扑结构...
设计应用 时间：2025/5/23 阅读：1156
凭借具有更高功率，较小尺寸和较高效率的清晰趋势，高频LLC谐振转换器是行业中孤立的DC/DC拓扑的有吸引力的解决方案，例如笔记本电脑适配器（> 75W），1KW-3KW数据中心...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：1408
足够的故障检测响应时间约为 2 μs [2]，该时间决定了电源开关所需的短路耐压时间 （SCWT） 额定值（即，在源极和漏极之间施加高电压和高电流的情况下，器件可以承受短路事...
设计应用 时间：2025/4/2 阅读：507
