CMOS工艺中为什么PMOS的源漏极要加入SiGe，而NOMS要加入SiC？
在先进CMOS制程迭代过程中，当工艺节点迈入90nm及以下，单纯依靠缩小晶体管尺寸带来的性能增益逐渐枯竭，短沟道效应、载流子迁移率衰减、器件漏电升高等问题持续凸显。为了在不过度增加工艺复杂度与功耗的前提下提升晶体管导通性能，业界...
基础电子 时间：2026/9/9 阅读：577
在功率电子电路的实际应用中，常常会遇到这样一种令人困扰的情况，当体二极管已经处于反偏状态时，MOS 管开通瞬间的电流却突然抬高。以半桥电路为例，通常半桥中的两只 MOS...
设计应用 时间：2026/9/2 阅读：364
在电子电路领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是一种极为重要的电子元件，其从截止到导通的过程蕴含着诸多专业知识。我们之前提到，在 V_gs（栅源电压）上升过程中并非 “一帆风顺”，会产生一个著名的 “台阶”，也就...
基础电子 时间：2026/8/28 阅读：321
TTL（Transistor - Transistor Logic）是由双极型晶体管 BJT（三极管）集成逻辑构成芯片或者器件。TTL 逻辑门判断输入信号为高电平 (1) 或低电平 (0) 的关键阈值电压是 2.0V。当输入电压 > 2.0V 时通常被认为是高电平 (1)；输入电压 &...
基础电子 时间：2026/8/28 阅读：260
在电子设计领域中，三极管和 MOS 管是极为常见且关键的元器件，而下拉电阻在它们的应用中起着不可忽视的重要作用。下面将为大家深度剖析三极管和 MOS 管下拉电阻的作用。 关于三极管 三极管是一种电流型驱动元器件，在电子电路设计...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：213
它为何能瞬间从休眠中恢复？电脑的 CPU 又为何能以每秒数十亿次的速度处理信息？在这背后，有一位默默奉献且无处不在的 “幕后英雄”——MOSFET （金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）。它宛如电子世界里的微型智能水闸，精准掌控着电...
基础电子 时间：2026/8/26 阅读：190
超级结 MOSFET（SJ - MOSFET）是一种在功率半导体领域具有重要地位的硅基功率 MOSFET。它能够在实现高耐压的同时，易于达成低导通电阻的特性。特别是在处理商用电源输入的 ...
设计应用 时间：2026/8/25 阅读：224
在修理电视机及各类电器设备的过程中，常常会碰到各种元器件损坏的情况，MOS 管便是其中较为常见的一种。对于维修人员而言，如何利用常用的万用表来准确判断 MOS 管的好坏...
设计应用 时间：2026/8/25 阅读：246
在半导体器件的世界里，MOS 管作为核心组件之一，其性能的稳定性至关重要。在 WAT 和可靠性评估中，MOS 管的击穿电压 Vb 是一项不容忽视的关键电性参数。虽然它不像 Idsat...
设计应用 时间：2026/8/18 阅读：198
在现代电子电路设计领域，MOS 管堪称最为常用的器件之一，其选型的恰当与否，直接关系到电路的性能表现与可靠性程度。为产品精准匹配一款合适的 MOS 管，能够确保设备实现最高效、最稳定且持久的应用效果。接下来，我们将详细探讨 MOS 管...
基础电子 时间：2026/8/17 阅读：218
