使用高置信度 MOSFET 的基于模型的电源转换器设计

设计电源转换器时，仿真模型可用于帮助权衡多种设计标准。有源器件的基于开关的简单模型用于快速仿真，从而获得更多的工程见解。然而，简单的设备模型不会像详细的制造商设...

设计应用 时间：2024/10/18 阅读：740

利用沟槽 MOS 结构改善反向恢复时间

肖特基势垒二极管 (SBD) 具有几个区别于 pn 结二极管的关键特性。首先是它们的构造方式：在pn 结二极管中，结是在 p 型和 n 型半导体材料之间形成的，而 SBD 则具有金属-半...

设计应用 时间：2024/10/10 阅读：304

模拟 IC 设计中的 MOSFET 非理想性

我们讨论的模型描绘了一个理想的 MOSFET，并且由于早期 MOS 晶体管的沟道尺寸较长，因此对于早期 MOS 晶体管来说相当准确。然而，后续研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶...

设计应用 时间：2024/8/13 阅读：789

SiC MOSFET的栅极应力测试

氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧...

设计应用 时间：2024/8/6 阅读：184

VMOS场效管的检测

1.用指针式万用表检测　　判别内无保护二极管的VMOS场效应管的引脚极性，可按照以下两步进行。　　（1）判定栅极G。将万用表置于R×1k挡，分别测量三个电极之间的电阻，如...

设计应用 时间：2024/6/19 阅读：177

在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET

“超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率...

设计应用 时间：2024/6/14 阅读：391

使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性

绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描...

设计应用 时间：2024/6/11 阅读：787

CMOS 工艺节点设计

在本文中，我们将使用 PTM 网站上的 CMOS 模型。您可以通过导航到我上面链接的站点存档并单击“最新模型”来找到它。在那里，您将看到适用于不同 CMOS 工艺节点的大量 SPIC...

设计应用 时间：2024/6/6 阅读：342