由于可靠性，成本和系统级别的价值提高，碳化硅碳化物的阻塞电压最高可达1700 V。通过将最新SIC CHIP生成的阻塞电压扩展到2000 V，新的可能性就会出现。现在可以更轻松地处...
设计应用 时间：2025/3/14 阅读：352
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。 SiC中存在各种...
基础电子 时间：2021/5/13 阅读：774
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可...
基础电子 时间：2009/3/13 阅读：3533
