碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表性材料，兼具宽禁带、高击穿场强、高热导率和优异的高温稳定性，是新能源汽车、光伏储能、智能电网、人工智能（AI）算力基础设施和先进封装热管理的重要基础材料[1-3]。随着功率器件向高电压、高电流...
基础电子 时间：2026/9/29 阅读：939
看似普通的内存芯片，为何极难量产？解析DRAM的底层技术壁垒
DRAM动态随机存取存储器凭借超高读写速度和存储密度，成为手机、电脑、服务器等各类终端不可或缺的核心元器件。不同于结构稳定的SRAM和主打大容量存储的NAND闪存，DRAM的技术架构存在天然的物理短板，同时在工艺制造、电路设计、系统适配...
基础电子 时间：2026/9/28 阅读：853
在半导体功率器件领域，如何解决散热问题一直是提升器件性能和可靠性的关键挑战。金刚石作为已知热导率最高的材料，具有优异的热学性能；而氮化镓（GaN）凭借其宽带隙、高电子迁移率等特性，在高频、高功率器件方面展现出巨大潜力。将金...
基础电子 时间：2026/9/4 阅读：394
在射频芯片从设计到交付的整个流程中，探针的精准测试不仅是至关重要的核心环节，同时也是极易出现偏差的难点所在。测试过程中各种寄生效应如同顽固的 “敌人”，始终干扰...
设计应用 时间：2026/8/28 阅读：375
在电子系统中，继电器是一种常用的控制元件，但传统继电器在工作时往往会出现发热严重、功耗较高的问题。而脉冲宽度调制（PWM）技术的出现，为解决这一难题带来了新的思路...
设计应用 时间：2026/8/26 阅读：286
正在掀起一场变革，它采用了一种截然不同的设计方法，用静电力取代了传统电机中广泛使用的电磁力。这一创新的静电电机技术利用受控电场来产生扭矩，能够实现低速直驱，并且无需永磁铁、变速箱或主动冷却。此项技术主要面向那些需要高扭矩...
基础电子 时间：2026/8/24 阅读：291
随着电力电子系统不断向高功率密度、高频化及小型化加速迈进，传统分立器件与常规功率模块在互连寄生参数、散热路径及系统集成方式等方面的局限日益凸显，已难以充分满足 AI 数据中心、新能源汽车等高性能领域的迫切需求。在此背景下，印...
基础电子 时间：2026/8/18 阅读：371
从 Wi-Fi 4 开始，Wi-Fi 技术便不断演进，每一代更新都将提升峰值速率作为重要目标。通过扩展信道带宽、采用更高的调制方式以及增加空间流数量，Wi-Fi 技术取得了显著的进...
技术方案 时间：2026/8/14 阅读：462
舌簧继电器于1936年由贝尔电话实验室发明。从那时起，它逐渐从体积庞大、相对粗糙的部件，演变为今天小巧、极其可靠的部件。生产方法和质量体系在此期间得到了极大改进，成本也大幅降低。 电磁继电器与舌簧继电器对比 电磁继电器（...
基础电子 时间：2026/8/12 阅读：256
嵌入式系统与人工智能的结合正成为行业关注的焦点。瑞萨嵌入式 AI 技术在这一领域展现出了巨大的潜力，其在嵌入式系统机器学习方面的应用更是为众多行业带来了新的发展机遇。本文将深入探讨瑞萨嵌入式 AI 技术以及嵌入式系统机器学习的相...
基础电子 时间：2026/8/7 阅读：437
