1.1x1mm 和 1.4×1.2mm DFN 封装的小信号 MOSFET
Nexperia 已将更多单、双小信号 MOSFET 放入 DFN1110D-3（SOT8015）和 DFN1412-6（SOT1268）封装中，并配备侧面可润湿侧面，可用于自动光学检查。 该公司表示：“1.1 x ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：295 关键词：MOSFET
英飞凌已推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET
英飞凌已宣布推出七款采用 TO-220 封装的 30V MOSFET。 英飞凌 TO220 StrongIRFET 2 场效应晶体管 它们是 StrongIRfet 2 系列的一部分，其资质不如其工业级 Optimos ...
分类：新品快报 时间：2024/9/11 阅读：267 关键词：英飞凌
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET， 非常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种...
时间：2024/9/9 阅读：19 关键词：半导体
Rohm -4款SOP封装通用AC-DC控制器IC，非常适用于工业电源
知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱...
时间：2024/9/5 阅读：32 关键词：AC-DC
TrendForce：预计2025年先进封装设备销售额将超过20％
TrendForce表示，预计2024年先进封装设备的销售额将增长10％以上，2025年则可能超过20％。 对 AI 服务器的日益增长的需求推动了几种尖端封装技术的进步，包括 InFO、CoW...
分类：行业趋势 时间：2024/9/2 阅读：800 关键词：先进封装设备
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管，其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A ...
分类：新品快报 时间：2024/8/29 阅读：235 关键词：双极功率晶体管
常适用于汽车车门、座椅等所用的各种电机以及LED前照灯等应用！符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，有助于车载应用的高效运行和小型化。 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFE...
时间：2024/8/23 阅读：33 关键词：Rohm
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC－DC控制器IC
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC，非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产，包...
分类：新品快报 时间：2024/8/23 阅读：211 关键词：AC－DC控制器IC
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack
半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack ”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack 的...
时间：2024/8/20 阅读：21 关键词：SiC
传统上采用笨重 DBC 模块封装的功率 WBG /SiC 器件可以用近芯片级 SMD 封装替代。WBG 器件的芯片尺寸更小（功率密度更高）且效率更高，因此可以实现这种替代。MaxPak 等近...
设计应用 时间：2024/8/12 阅读：716
BGA（Ball Grid Array）封装是一种集成电路（IC）封装技术，其主要特点是在芯片的底部布置了一组焊球（通常是锡-铅合金），用于连接电路板上的焊盘。以下是关于BGA封装的基础知识： 结构和工作原理： 焊球阵列：BGA芯片底部有一个...
基础电子 时间：2024/7/16 阅读：189
1，金属封装（CAN）集成电路 集成电路的外壳是金属的，元器件的形状多为金属圆帽状，集成电路的引脚数目比较少，最多只有十几个，功能简单。外形如图11—2所示。 2，单列直插式封装（SIP）集成电路 单列直插式封装集成电路内部...
基础电子 时间：2024/5/15 阅读：302
电阻器有多种不同的封装样式和尺寸。目前最常用的是矩形表面贴装 (SMD) 电阻器，但老式轴向电阻器仍然在通孔设计中广泛使用。本页提供有关 SMD、轴向和 MELF 封装尺寸的信息。它还为 SMD 元件提供了一些推荐的焊盘图案，用于将焊料连接到...
行业标准 时间：2024/3/26 阅读：916
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件， 助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能
代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDE...
新品速递 时间：2024/1/16 阅读：1500
SMD是表面贴装器件（Surface Mount Device）的缩写。它是一种电子元件封装技术，用于在印刷电路板（PCB）上进行表面贴装。与传统的插件式元件相比，SMD具有更小的体积、更高的密度和更高的可靠性。 SMD器件的特点是其引脚直接焊接在PC...
基础电子 时间：2024/1/15 阅读：482
多维科技推出超小封装 TMR3016和TMR3017 角度传感器芯片
专注于隧道磁阻（TMR）技术的磁传感器制造商江苏多维科技有限公司基于高灵敏度TMR技术推出了TMR3016和TMR3017角度传感器芯片产品，并已开始量产。该芯片采用DFN4L(0.8mm × 0.4mm × 0.23mm)的超小封装，适合各类超小型电机的角度和位移...
新品速递 时间：2023/12/27 阅读：547
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，我们需要更仔细地检查所涉及组件的各个方面。 对于这些电力电子系统中使用的拓扑，...
设计应用 时间：2023/12/25 阅读：612
适用于高功率应用的改进型 TO-247PLUS 分立封装解决方案
高功率应用需要高功率密度和可靠且成本合理的功率半导体。分立器件降低了解决方案的总成本，但必须承受重负载循环期间的高热要求。为了满足此类要求，功率半导体应具有较低...
技术方案 时间：2023/12/20 阅读：1065
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车电池管理的车载电池的电流能力。 据该公司介绍，汽车 TOLL 封装采用先进的夹子技术来实现高浪涌电流额定值。该公司表示，这种...
新品速递 时间：2023/12/15 阅读：588
