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三星定目标:2022年6月前全面开发出第六代、11nm 1c DRAM芯片

据BusinessKorea的报道,三星已经设定了目标,即在今年6月前完成11纳米的第六代1cDRAM芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过1bDRAM的开发,这是一种12纳米芯...

分类:业界动态 时间:2022/4/21 阅读:1339

三星宣布11nm新工艺:7nm全面上极紫外光刻

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又宣布了新的11nm Fi...

分类:业界动态 时间:2017/9/30 阅读:290 关键词:11nm7nm三星

三星将于2018年推出7nm和11nm半导体工艺

三星宣布,新加入了11nm LPP工艺,性能比此前的14nm提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。三星将于9月15日在东京举办的半导体会议上公布,未来的技术还会有所提升。三星表...

分类:名企新闻 时间:2017/9/13 阅读:339 关键词:11nm7nm三星

三星宣布将为中高端机型推出11nm芯片

本周一,宣布了全新的 LPP工艺,它将用于后续推出的中高端机型。在新闻公告中表示, LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%,单位面积的功耗降低了10%。  目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手机。三星表示,1...

分类:名企新闻 时间:2017/9/12 阅读:412 关键词:11nm三星

三星11nm FinFET欲登场,台积电的大麻烦?

公司表示,11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来,它能提供15%的性能提升,减少10%面积,但功耗却保持不变。三星补充道:使用该制程的产品将在2018年上半...

分类:业界动态 时间:2017/9/12 阅读:385 关键词:11nm

三星宣布7nm和11nm半导体工艺:2018年推出

三星在二季度的收入一举超越Intel,成为大公司。这些年受惠于高通骁龙、AMD Ryzen/Vega/Polaris的成功,三星的代工生意不仅风生水起、日进斗金,而且不在不知不觉中走在了...

分类:业界动态 时间:2017/9/12 阅读:393 关键词:11nm7nm半导体三星

“元器件标度将小于11nm”——IBM阐述半导体的未来

半导体制造技术相关国际会议“IEDM2009”开幕的前一天2009年12月6日,举行了两场简短讲座(ShortCourse)。一场以半导体细微化《ScalingChallenges:DeviceArchitectures,NewMaterials,

分类:行业访谈 时间:2009/12/10 阅读:192 关键词:IBM半导体元器件

安捷伦Draft-802.11nMIMO测试解决方案可完整解调MIMO信号

安捷伦科技公司(Agilent)近日推出了支持draft-802.11n规格的创新测试解决方案。802.11n标准加入多重输入/多重输出(MIMO)技术,以提升数据处理速度及扩大范围。安捷伦这款解决方案包含N4011AMIMO/多端口转接器和N40

分类:业界要闻 时间:2007/3/2 阅读:238 关键词:安捷伦

意法半导体功率MOSFET STD11NM60N通态电阻仅为450mΩ

意法半导体(ST)近日推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优越,为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品,例如,大功率

分类:新品快报 时间:2006/12/11 阅读:880 关键词:MOSFET半导体

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意法半导体新推极低电阻功率MOSFET STD11NM60N

意法半导体(ST)推出了新系列功率MOSFET的款产品STD11NM60N。 该产品通态电阻极低,动态特性和雪崩特性优越,为客户大幅降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。STD11NM60N特别适合照明应用产品,例如,大功率因数电子...

新品速递 时间:2007/12/19 阅读:1612

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