Microsemi 美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mO...

分类：新品快报 时间：2018/6/14 阅读：1126 关键词：二极管器件美高森美

PANGOLIN LASER推出免受ESD和反向偏压损害的激光二极管器件LASORB

LASORB元件称为静电放电(ESD)吸收器，能保护激光二极管、光电二极管和LED免受正极或负极的单个、多个和重复ESD事件的损害。该器件广泛应用于各种消费、商业和工业产品中。ESD对于激光二极管，尤其蓝光激光二极管和低功率单模红光二极管是...

分类：业界要闻 时间：2009/8/24 阅读：533 关键词：激光二极管

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件

Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型VishaySiliconixSi4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFE

分类：新品快报 时间：2007/12/19 阅读：2008 关键词：MOSFETVishay二极管