IR/国际整流器
IRLML6302TR
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
硅(SI)
类型：经销商
电话：
手机：15817468549
联系人：何丽贤
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 TEL:158 1746 8549 Q Q :1160453817(海纳百川） 华强北中航路新亚洲2期N2B071
标准包装 3,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 780mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 3.6nC @ 4.45V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 97pF @ 15V
功率 - *大值 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
