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IPD90N10S4L06ATMA1

IPD90N10S4L06ATMA1
IPD90N10S4L06ATMA1
  • 型号/规格:

    IPD90N10S4L06ATMA1

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 年份:

    18+

  • 数量:

    56592

  • 备注:

    全新原装 大量库存现货

  • 封装:

    TO-252-3

  • Vds-漏源极击穿电压:

    100v

金牌会员 第 9
  • 企业名:深圳市斌腾达科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82815082
    0755-82815039

    手机:13510306069
    13510738676

    联系人:雷先生/朱先生

    QQ: QQ:2881704053QQ:2881704535

    邮箱:zhujunbin163@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北上步工业区501栋518

商品信息

亚太地区XILINX    AD    FREESCALR   INTEL分销商   欢迎来电咨询!!

亚太地区代理分销商ADXILINXALTERAINTEL等世界各IC。本公司为一般纳税人,可开16%增值税票!

深圳市斌腾达科技有限公司

联系人:朱先生

Q Q2099320098


制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:5.8 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:1.1 VVgs - 栅极-源极电压:16 VQg-栅极电荷:98 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:136 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 系列:IPD90N10 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies 下降时间:40 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:6 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:42 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:IPD90N10S4L-06 SP000866562 单位重量:4 g



随着智能手机的发展,半导体工艺也在不断迭代更新,从28nm、16nm,到现在的10nm、7nm,更先进的制程工艺,也带来了更快的处理速度。近期有外媒报道称,台积电的5nm制程工艺在季度已经进入风险生产阶段,预计将在明年上半年实现量产,届时我们就会看到一大批采用5nm工艺的芯片。

根据目前得到的消息来看,首款5nm工艺芯片大概率为苹果的A系列处理器,那么根据时间推算,明年秋季发布的A14芯片很有可能采用5nm工艺。此前苹果的A12仿生芯片就是首批采用7nm工艺的芯片,那么A14芯片能为新iPhone带来哪些提升,相当值得期待。

当然,目前台积电的主力产能还在7nm工艺,这也是为了满足不断增长的市场需求。台积电方面表示,得益于5G智能手机与5G基站对芯片的旺盛需求,今年下半年的芯片产量将继续增长,公司将积极扩充7nm与5nm产能,预计下半年业务将比上半年表现更好

 



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