供应GM2311 SOT-23 P沟道绝缘栅MOSFET 导通电阻小

P沟道绝缘栅MOSFET GM2311的极限参数：

• 漏极-源极电压：-60V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：-1.8A
• 漏极电流-脉冲：-6A
• 总耗散功率：1000mW
• 结温：150℃
• 存储温度：-55~+150℃

P沟道绝缘栅MOSFET GM2311 关于MOSFET 的操作原理：

      MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容

      当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。考虑一个P型半导体（空穴浓度NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB 施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加，当VGB 够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P 型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。

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