小型封装 EMB12N10H EDFN 5X6 大电流 N沟道场效应管

N沟道场效应管 EMB12N10H的主要参数：

漏极-源极电压	100V
静态漏源导通电阻(Max)	12mΩ
漏极电流-连续	50A

N沟道场效应管 EMB12N10H的极限参数：

• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-脉冲：110A
• 雪崩电流：20A
• 雪崩能量：22mJ
• 重复雪崩能量：11mJ
• 功耗：50W
• 温度范围：-55~150℃

N沟道场效应管 EMB12N10H的热阻：

• 结到管壳的热阻：2.5℃/W
• 结到环境的热阻：50℃/W

N沟道场效应管 EMB12N10H的外形封装尺寸：

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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