本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-262-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：33 A
Rds上漏源导通电阻：44毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：47.3 nC
Pd-功率耗散：140 W
封装：Tube
配置：单
高度：9.45毫米
长度：10.2毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF540NLPBF SP001571292
单位重量：2.387 g
特征
•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
先进的HEXFET®功率MOSFET
国际整流器公司利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。这种好处与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠的器件，可用于多种应用。
D2Pak是一种表面贴装电源套件，能够
可容纳尺寸为HEX-4的模具。在任何现有的表面贴装封装中，它都具有的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适用于大电流应用，并且会耗散
在典型的表面贴装应用中为2.0W。
通孔版本（IRF540NL）可用于薄型应用。

额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0	33	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V 0	23
IDM	Pulsed Drain Current CD0	110
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	130	W
	Linear Derating Factor	0.87	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	土 20	V
IAR	Avalanche CurrentCD	16	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	13	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt cr0	7.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )
	Mounting torque, 6-32 or M3 srew	10 lbf•in (1.1N•m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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