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EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管

EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管
EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管
  • 型号/规格:

    EMB32N03P

  • 品牌/商标:

    杰力

  • 封装形式:

    SOT-89

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    中功率

  • PDF资料:

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普通会员
  • 企业名:东莞市宇芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

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商品信息 更新时间:2019-10-26


EMB32N03P SOT-89 30V N沟道MOS管 低功耗晶体管


低功耗晶体管 EMB32N03P的极限参数:

参数 符号 数值 单位
漏极-源极电压 BVDSS 30 V
栅极-源极电压 VGS ±20 V
漏极电流-连续 ID 5.5 A
漏极电流-脉冲 IDM 24 A
功耗 PD 1.47 W
温度范围 Tj,Tstg -55~150
结到管壳的热阻 RθJC 18 ℃/W
结到环境的热阻 RθJA 85 ℃/W



低功耗晶体管 EMB32N03P的电气特性:


  • 漏极-源极击穿电压:30V
  • 栅极开启电压:1.5V(典型值
  • 栅极漏电流:±100nA
  • 静态漏源导通电阻:29mΩ
  • 输入电容:332pF
  • 输出电容:83pF
  • 反向传输电容:26pF
  • 栅源电荷密度:1.1nC
  • 栅漏电荷密度:2.3nC
  • 开启延迟时间:8nS
  • 上升时间:12nS
  • 关断延迟时间:28nS
  • 下降时间:15nS



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