企业名：东莞市宇芯电子有限公司
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N沟道增强型MOS EMB35N04V EDFN 3X3 40V场效应晶体管
40V场效应晶体管 EMB35N04V的主要参数：
| BVDSS | 40V |
| RDSON(MAX) | 28mΩ |
| ID | 12A |
40V场效应晶体管 EMB35N04V的产品参数：
|
参数/测试条件 |
符号 | 数值 | 单位 | |
|
漏极-源极电压 |
BVDSS | 40 |
V |
|
|
栅极-源极电压 |
VGS | ±20 | ||
|
漏极电流-连续 |
TC=25℃ |
ID |
12 |
A |
|
TC=100℃ |
9 | |||
|
漏极电流-脉冲 |
IDM | 48 | ||
|
雪崩电流 |
IAS | 8 | ||
| 雪崩能量 | L=0.1mH,ID=8A,RG=25Ω | EAS | 3.2 |
mJ |
| 重复雪崩能量 | L=0.05mH | EAR | 1.6 | |
|
功耗 |
TC=25℃ |
PD |
21 |
W |
|
TC=100℃ |
8.3 | |||
|
功耗 |
TA=25℃ |
PD |
2.5 |
W |
|
TA=100℃ |
1 | |||
|
温度范围 |
Tj,Tstg | -55~150 | ℃ | |
|
结到管壳的热阻 |
RθJC | 6 |
℃/W |
|
|
结到环境的热阻 |
RθJA | 50 | ||
40V场效应晶体管 EMB35N04V的封装外形尺寸：
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