EMB40A06S DIP-8 60V/6A 双N沟道逻辑电平 增强型MOS管

增强型MOS管 EMB40A06S的主要参数：

增强型MOS管 EMB40A06S的极限参数：

• 漏极-源极电压：60V
• 栅极-源极电压：±20V
• 漏极电流-连续：6A
• 漏极电流-脉冲：24A
• 雪崩电流：12A
• 雪崩能量：7.2mJ
• 重复雪崩能量：3.6mJ
• 功耗：5W
• 温度范围：-55~150℃

增强型MOS管 EMB40A06S的电气特性：

• 漏极-源极击穿电压：60V
• 栅极开启电压：2.0V（典型值）
• 栅极漏电流：±100nA
• 值静态漏源导通电阻：40mΩ
• 输入电容：1112pF
• 输出电容：86pF
• 反向传输电容：72pF
• 栅源电荷密度：3.3nC
• 栅漏电荷密度：7.4nC
• 开启延迟时间：7nS
• 上升时间：22nS
• 关断延迟时间：17nS
• 下降时间：25nS

企业名：东莞市宇芯电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 076989268116

手机：13809624202

联系人：谭平

QQ：

邮箱：tanping@yushin88.com

地址：广东东莞东莞市长安镇上沙明和商务楼3A02