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EMB02N03HS EDFN 5*6 N沟道MOS管 30V小封装MOSFET
N沟道MOS管EMB02N03HS的脚位图：
N沟道MOS管EMB02N03HS的极限值：
|
参数/测试条件 |
符号 | 数值 | 单位 | |
|
栅极-源极电压 |
VGS | ±20 |
V |
|
|
漏极-源极电压 |
BVDSS | 30 | ||
|
漏极电流-连续 |
TC=25℃ |
ID |
100 |
A |
|
TC=100℃ |
67 | |||
|
漏源电流-脉冲 |
IDM | 400 | ||
|
雪崩电流 |
IAS | 64 | ||
|
雪崩能量 |
EAS | 204 |
mJ |
|
|
重复雪崩能量 |
EAR | 102 | ||
|
功耗 |
TC=25℃ |
PD |
50 |
W |
|
TC=100℃ |
20 | |||
|
工作结温和存储温度范围 |
Tj,Tstg | -55~150 |
℃ |
|
N沟道MOS管EMB02N03HS的电特性：
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