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BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET

供应BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET
供应BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET
  • 型号/规格:

    BSC109N10NS3G

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    SON-8

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 3
  • 企业名:深圳市迅丰达电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 13824331138

    手机:13824331138

    联系人:陈小姐

    QQ: QQ:2885869107

    微信:

    邮箱:491961368@qq.com

    地址:广东深圳赛格广场3504A

商品信息 更新时间:2023-08-09

BSC109N10NS3G 全新原装 MOSFET

 

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

 

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TDSON-8

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Id-连续漏极电流

63 A

Rds On-漏源导通电阻

10.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3.5 V

Qg-栅极电荷

35 nC

工作温度

- 55 C to + 150 C

Pd-功率耗散

78 W

通道模式

Enhancement

商标名

OptiMOS

系列

OptiMOS 3

封装

Reel

封装

Cut Tape

封装

MouseReel

商标

Infineon Technologies

配置

Single

下降时间

5 ns

正向跨导 -(MIN)

29 S

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm

产品类型

MOSFET

上升时间

7 ns

工厂包装数量

5000

子类别

MOSFETs

晶体管类型

1 N-Channel

典型关闭延迟时间

19 ns

典型接通延迟时间

12 ns

宽度

5.15 mm

零件号别名

SP000778132 BSC19N1NS3GXT BSC109N10NS3GATMA1

单位重量

300 mg

 

英飞凌 - 国际整流器设计功率系统

英飞凌 - 国际整流器 功率 MOSFET 可以提高产品的效率、功率密度及成本效益。OptiMOS? 及 StrongIRFET? N 沟道功率 MOSFET 全线产品可以在开关模式电源(SMPS)、电机控制与驱动、逆变器和计算中实现创新与性能。OptiMOS? 及 StrongIRFET? 系列包含 20V 300V 的功率 MOSFET 产品。

 

全新原包原装可含税(香港可交)

THGBMNG5D1LBAIL

THGBMJG7C1LBAIL

THGBMJG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3ETAI0

TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

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NT5CC64M16GP-DI

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联系方式

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类型:贸易/代理/分销

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