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IRFP4110PBF/Infineon(英飞凌) 晶体管 > 场效应管(MOSFET) >

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  • 型号/规格:

    IRFP4110PBF

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-247AC

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • PDF资料:

    点击下载PDF

VIP会员 第 3
  • 企业名:深圳市港恒达半导体有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83502206

    手机:13823282997

    联系人:肖先生

    QQ: QQ:474337047QQ:1198549293

    微信:

    邮箱:474337047@qq.com

    地址:广东深圳福田区华强北街道上步工业区201栋5楼B08

商品信息

详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IRFP4110PBF

符合 符合
生命周期 Active
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 15 weeks
风险等级 1.23
Samacsys Description MOSFET N-Ch 100V 180A HEXFET TO247AC International Rectifier IRFP4110PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等级(Eas) 190 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
小漏源击穿电压 100 V
大漏极电流 (Abs) (ID) 180 A
大漏极电流 (ID) 180 A
大漏源导通电阻 0.0045 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
高工作温度 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
大功率耗散 (Abs) 370 W
大脉冲漏极电流 (IDM) 670 A


子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

联系方式

企业名:深圳市港恒达半导体有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-83502206

手机:13823282997

联系人:肖先生

QQ: QQ:474337047QQ:1198549293

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地址:广东深圳福田区华强北街道上步工业区201栋5楼B08

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