AOS万代全新进口原装AO4437 封装SOP-8 MOS场效应管

型号/规格：
AO4437
品牌/商标：
AOS
封装形式：
SOP-8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
中功率
封装：
SOP-8
电流：
11A
沟道：
P
电压：
12V

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企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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联系人：陈丹霞

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邮箱：YDIC_888@163.COM

地址：广东深圳深圳市华强北路华强广场一楼Q1B082

产品分类

场效应管MOSFET(1)
∟ MOSFET(1)
电容器(19)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(7)∟ 陶瓷电容(12)

新品上架

商品信息 更新时间：2017-11-14

（串联电路（n个用电器串联）：

电流：I总=I1=I2....=In （串联电路中，电路各部分的电流相等）

电压：U总=U1+U2....+Un (总电压等于各部分电压之和）

电阻：R总=R1+R2....+Rn（总电阻等于各部分电阻之和）

并联电路（n个用电器并联）：

电流：I总=I1+I2....+In（并联电路中，干路电流等于各支路电流之和）

电压：U总=U1=U2....=Un（各支路两端电压相等并等于电源电压)

电阻：1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn（总电阻倒数等于各部分电阻倒数之和）。当2个用电器并联时，有以下推导公式：R总=R1R1/（R1+R2）

电阻公式推导方法：

（1）串联：由U总=U1+U2....+Un，得到I总R总=I1R1+I2R2....+InRn

因为串联电路各部分电流相等，即I总=I1=I2....=In，所以得到：

R总=R1+R2....+Rn（例如一个3Ω的电阻和一个6Ω的电阻串联，其串联的总电阻为9Ω）

（2）并联：由I总=I1+I2....+In，得到U总/R总=U1/R1+U2/R2....+Un/Rn

因为并联电路各部分电压等于总电压，即U总=U1=U2....=Un，所以得到：

1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn（例如一个3Ω的电阻和一个6Ω的电阻并联，其并联的总电阻为2Ω）

对于只有两个电阻并联的部分来说，可以继续推导出以下公式：

由1/R总=1/R1+1/R2....+1/Rn可知：1/R总=1/R1+1/R2=R2/R1R2+R1/R1R2=（R1+R2）/R1R2

所以R总=R1R1/（R1+R2）

由上面的公式还可以得到一个结论：串联的总电阻大于其任意一分电阻，并联的总电阻小于其任意一分电阻

FET 类型： P 沟道

技术 MOSFET：（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）：（25°C 时） 11A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（值）： 47nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：4750pF @ 6V
Vgs（值）：±8V
FET 功能 -
功率耗散（值）： 3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 16 毫欧 @ 11A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装： 8-SOIC

联系方式

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