HGTP5N120BND 童IGBT单路三管 1200V

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
HGTP5N120BND
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
S/开关
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*
集电*允许电流ICM：
40A
封装形式：
TO-220
应用范围：
带阻尼

发布询价信息

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产品分类

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二极管(398)
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商品信息

制造商: Fairchild Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:   详细信息

配置: Single

集电*—发射**大电压 VCEO: 1200 V

集电*—射*饱和电压: 2.45 V

栅*/发射**大电压: /- 20 V

Continuous Collector Current at 25 C: 21 A

栅*—射*漏泄电流: /- 250 nA

功率耗散: 167 W

*大工作温度: 150 C

封装 / 箱体: TO-220AB

封装: Tube

*小工作温度: - 55 C

安装风格: Through Hole