ST原装场效应三管系列 STB21NM60ND B21NM60ND

品牌/商标：
ST/意法
型号/规格：
STB21NM60ND B21NM60ND
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-TPBM/三相桥
封装外形：
LLCC/无引线陶瓷片载
材料：
*肖特基势垒栅
开启电压：
33（V）
夹断电压：
33（V）
跨导：
33（μS）
*间电容：
33（pF）

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商品信息

ST*原装场效应三*管系列 STB21NM60ND B21NM60ND

STB21NM60ND B21NM60ND产品规格参数

Datasheets STX21NM60ND
Product Photos D2PAK, TO-263
Catalog Drawings ST Series D2PAK
Standard Package 1,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series FDmesh™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 50V
Power - Max 140W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Catalog Page 1321 (US2011 Interactive)
1321 (US2011 PDF)
Other Names 497-8471-2