本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：2.4 A
Rds上漏源导通电阻：135毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：5.3 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.2 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：2.6 S
下降时间：16 ns
湿度敏感性：是
产品类型：MOSFET
上升时间：24 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：15 ns
典型起始延迟时间：5.7 ns
零件号别名：IRF7501TRPBF SP001575316
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•超小型SOIC封装
•薄型（<1.1mm）可用于卷带包装
•快速切换
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和可靠

的器件，可广泛用于各种应用中。
新的Micro8封装的面积仅为标准SO-8的一半，可提供

SOIC尺寸中的封装。 这使得Micro8成为印刷电路板

空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的薄型（<1.1mm）

将使其易于安装在极薄的应用环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	2.4	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	1.9
IDM	Pulsed Drain Current CD	19
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation©	1.25	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power Dissipation ©	0.8	W
	Linear Derating Factor	0.01	W/°C
VGSM	Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10μs	16	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt 0	5.0	V/ns
TJ , TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	240 (1.6mm from case)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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