本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：5 A
Rds上漏源导通电阻：29毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：800 mV
Qg-萘甲酸：6.8 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.3 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：19 S
下降时间：9.1 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：5.6 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：22 ns
典型起始延迟时间：4.2 ns
零件号别名：IRLML6344TRPBF SP001574050
单位重量：37毫克
应用程序
负载/系统切换
特征
低RDSon（<29mΩ）
行业标准的SOT-23封装
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格
好处
降低传导损耗
多厂商兼容性
环保的
可靠性更高
额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	5.0	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	4.0
IDM	Pulsed Drain Current	25
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation	1.3	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power Dissipation	0.8
	Linear Derating Factor	0.01	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 12	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJA	Junction-to-Ambient @	–––	100	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient (t<10s) ®	–––	99

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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