本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：6.8 A，4.6 A
Rds上漏源导通电阻：22毫欧，51毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.3 V
Qg-血浆甲醛：6.8 nC，8.1 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
商标名：HEXFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
系列：IRF939
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-应力：8.2 S，4.1 S
下降时间：3.9 ns，15 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：4.8 ns，14 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：4.9 ns，17 ns
典型起始延迟时间：5.1 ns，8 ns
零件号别名：IRF9389TRPBF SP001551666
单位重量：506.600毫克
应用领域
•逆变器高低侧开关
•通用和半桥高低侧开关
特征
单个封装中的高端和低端MOSFET
高端P沟道MOSFET
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格
好处
功率密度增加
驱动电路更简单
多厂商兼容性
易于制造
环保
可靠性更高
额定值

	Parameter	Max.		Units
		N-Channel	P-Channel
VGS	Gate-to-Source Voltage	±20	±20	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	6.8	-4.6	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	5.4	-3.7
IDM	Pulsed Drain Current CD	34	-23
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.0		W
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	1.3
	Linear Derating Factor	0.016		W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150		°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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