本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：8 A
Rds上漏源导通电阻：21毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：52 nC
Pd-功率耗散：2 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7328TRPBF SP001565270
单位重量：540毫克
特征

•风沟技术
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•提供卷带包装
•无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®功率MSFET

利用先进的处理技术来实现每硅面积的极低导通电阻。

 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的坚固耐用

的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常高效且

可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-8.0	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-6.4
IDM	Pulsed Drain CurrentCD	-32
PD @TA = 25°C	Maximum Power DissipationGl	2.0	W
PD @TA = 70°C	Maximum Power DissipationGl	1.3	W
	Linear Derating Factor	16	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ , TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

热阻

	Parameter	Max.	Units
RqJA	Maximum Junction-to-Ambient Gl	62.5	°C/W

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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