本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：6.9 A
Rds上漏源导通电阻：23毫欧
Qg-血浆甲醛：22 nC
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：2.4 W
资质：AEC-Q101
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRF7313QTR SP001519208
单位重量：540毫克
特征
先进的平面技术
双N沟道MOSFET
导通电阻低
逻辑电平门驱动
动态dv / dt额定值
175°C工作温度
快速切换
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝设计专门针对

汽车应用而设计，它利用的处理技术来实现

每硅面积的低导通电阻。 这种优势与HEXFET功率

MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常

有效和可靠的器件，可用于汽车和其他各种应用。

额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	6.9	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	5.8
IDM	Pulsed Drain Current 	58
PD @TA = 25°C	Maximum Power Dissipation	2.4	W
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	450	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ƒ	3.6	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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