本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：14 A
Rds上漏源导通电阻：14毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：17 nC
Pd-功率耗散：3.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7811AVTRPBF SP001566386
单位重量：540毫克
特征

•N通道专用MOSFET
•理想用于CPU核心DC-DC转换器
•低传导损耗
•开关损耗低
•化用于大电流应用的并联MOSFET
•100％RG测试
•无铅
描述
这款新器件采用了先进的HEXFET功率MSFET技术，

可实现导通电阻和栅极电荷的前所未有的平衡。 

降低的导通和开关损耗使其非常适合为一代微

处理器供电的高效DC-DC转换器。
IRF7811AV已针对同步降压转换器中至关重要的所有

参数进行了优化，包括RDS（on），栅极电荷和Cdv / dt

引起的导通抗扰性。 IRF7811AV提供了Qsw和RDS（on）

的极低组合，从而减少了控制和控制方面的损耗。
同步FET应用。
该封装设计用于气相，红外，对流或波峰焊接技术。 

在典型的PCB安装应用中，功耗可能大于2W。
额定值

Parameter		Symbol	IRF7811AV	Units
Drain-to-Source Voltage		VDS	30	V
Gate-to-Source Voltage		VGS	±20
Continuous Output Current (VGS 3 4.5V)	TA = 25°C	ID	10.8	A
	TL = 90°C		11.8
Pulsed Drain Current CD		IDM	100
Power Dissipation Q)	TA = 25°C	PD	2.5	W
	TL = 90°C		3.0
Junction & Storage Temperature Range		TJ , TSTG	-55 to 150	°C
Continuous Source Current (Body Diode)		IS	2.5	A
Pulsed Source Current CD		ISM	50

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类型：贸易/代理/分销

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