本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：37 A
Rds漏源导通电阻：27毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：43.3 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：69 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：60 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：69 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：47 ns
典型起始延迟时间：7.3 ns
零件号别名：IRFR1205TRPBF SP001560566
单位重量：4 g

应用

超低导通电阻
表面安装（RFR1205）
直导线（RFU1205）
快速切换
完全雪崩额定值

描述

第五代HEXFET SF从国际整流器利用先进的处理技术，

以实现的每硅面积电阻。这一优点，加上HEXFET功率

mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计

人员提供了一种非常高效的器件，可用于多种应用。

D-PAK设计用于使用气相、红外等表面安装，或波峰焊

接技术直引线版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。

功耗级别为1。在典型的表面贴装应用中可以使用1.5瓦

额定值sparametermaxunitsip e To=25°c连续

漏极电流，Vas e 10vID e Tc=100%连续漏电流Vss 10V31⑤

脉冲漏电流oPOOT.=25%C功耗线性降额系数0.71W/ecVEAEGate-to-source votage

单脉冲雪崩能量neray②210雪崩电流①25arepetive雪崩能量oMJdv/dtPeak二极管

恢复dv/dt 65.0V/nsOperating结和55to+175 sti存储温度焊接温度范围，

持续10秒300（1。从外壳热阻参数TypMaxUnitsRjunction到外壳Rjunction到环境（PCB安装）

cFunction到环境6毫米

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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