本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：23 A
Rds上漏源导通电阻：117毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：64.7 nC
Pd-功率耗散：140 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9540NPBF SP001560174
单位重量：6 g
HEXFET8功率mosfet先进工艺技术动态dv/dt额定值

vpss=-100V175“C工作温度fast开关p通道ros（开）=0。

11792GFully雪崩率dID=-23A描述国际整流器的第五代

HEXFET利用先进的加工技术实现每硅面积的极低导通电阻。

这一优点，加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关

速度和加固的器件设计，为设计人员提供了一种非常

高效和可靠的器件，可用于多种应用。TO-220封装在

功耗水平上普遍适用于所有商业工业应用大约50瓦。

TO-220TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个

工业中得到广泛的接受，额定功率

SparameTermaxaxUnits[o a Tc=25 C连续漏极电流，

VGS@-10V-23Io Q Tc=100 C连续漏极电流，

Ves@-10V脉冲漏极电流OPo ATC=25C功耗140W

线性降额系数w/o栅源电压4+20单脉冲雪崩能量2A

雪崩电流14IDV/dtPeak二极管恢复dv/dt 35.0V/nsOperating 

Junction和-55至+175存储温度范围焊接温度，持续10秒300

（1。距壳体安装扭矩6mm，6-32或M3 srew10寿命（1。1nom）

热阻参数unitjunction-to-case1.1Case-to-sink，平面，

润滑表面0.50OJAI Junction-to-ambient62

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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