IRFH6200TRPBF
IR
PQNF-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：PQFN-8
晶体管正极：N正极
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：100 A
Rds上漏源导通电阻：990 Ohms
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Qg-萘甲酸：155 nC
Pd-功率耗散：250 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.83毫米
长度：6 mm
晶体管类型：1 N掺杂
宽度：5毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFH6200TRPBF SP001575628
应用领域
用于电池的充放电开关
用于12V（典型）总线的负载开关
热插拔开关
特征
低RDSon（￡0.99mΩ）
低热阻PCB（￡0.8°C / W）
薄型（￡0.9毫米）
行业标准引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS，无卤素
好处
降低传导损耗
实现更好的散热
功率密度增加
多厂商兼容性
易于制造
环保
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
20 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±12 |
|
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
49 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
40 |
|
|
ID @ Tmb = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
100® |
|
|
ID @ Tmb = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
100® |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
400 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation (i) |
3.6 |
W |
|
PD @Tmb = 25°C |
Power Dissipation (i) |
156 |
|
|
|
Linear Derating Factor (i) |
0.029 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJC-mb |
Junction-to-Mounting Base |
0.5 |
0.8 |
°C/W |
|
RqJC (Top) |
Junction-to-Case ® |
––– |
15 |
|
|
RqJA |
Junction-to-Ambient m |
––– |
35 |
|
|
RqJA (<10s) |
Junction-to-Ambient m |
––– |
22 |
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
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邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
