IRG4PH50UDPBF
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
QQ： 
微信：
邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：IGBT晶体管
RoHS：详细信息
技术：Si
封装/箱体：TO-247-3
安装风格：通孔
配置：单
集电极—发射极电压VCEO：1.2 kV
集电极—射极饱和电压：3.7 V
正极/发射极电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：45 A
Pd-功率耗散：200 W
IGBT晶体管工作温度：-55 C
IGBT晶体管工作温度：+ 150 C
封装：Tube
集电极连续电流Ic：45 A
高度：20.3毫米
长度：15.9毫米
宽度：5.3毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：IGBT晶体管
工厂包装数量：400
子类别：IGBT
零件号别名：IRG4PH50UDPBF SP001542126
单位重量：38 g
特征
•UltraFast：针对硬切换，针对高达40 kHz的高工作频率进行了优化，
谐振模式下> 200 kHz
•新的IGBT设计提供更紧密的
参数分布和效率比前几代高
•IGBT与HEXFREDTM超快封装在一起，
用于桥配置的超软恢复反并联二极管
•行业标准TO-247AC封装
•无铅
好处
•比竞争对手的IGBT具有更高的开关频率能力
•效率
•HEXFRED二极管针对IGBT的性能进行了优化。 化恢复特性要求
更少/没有冷漠
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VCES |
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage |
1200 |
V |
|
IC @ TC = 25°C |
Continuous Collector Current |
45 |
A |
|
IC @ TC = 100°C |
Continuous Collector Current |
24 |
|
|
ICM |
Pulsed Collector Current CD |
180 |
|
|
ILM |
Clamped Inductive Load Current � |
180 |
|
|
IF @ TC = 100°C |
Diode Continuous Forward Current |
16 |
|
|
IFM |
Diode Maximum Forward Current |
180 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter Voltage |
± 20 |
V |
|
PD @ TC = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
200 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum Power Dissipation |
78 |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm) from case ) |
|
|
|
Mounting torque, 6-32 or M3 screw. |
10 lbf•in (1.1N•m) |
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企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司
类型：贸易/代理/分销
电话： 0755-28892811
手机：13717085518
联系人：张凯
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邮箱：szksy82@126.com
地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
