产品型号:AOT12N65

概述
该AOT12N65和AOTF12N65制作采用了先进的高电压MOSFET的制造过程，目的是在流行的AC-DC应用提供高水平的性能和稳健性。通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss一起雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新的和现有的离线电源设计

应用范围：
 * 电源开关电路的电源适配器和充电器。
 * HID灯
 * 节能灯镇流器
 * 逆变器

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):12

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.72 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):278

输入电容Ciss(PF):1792 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)17

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):750

导通延迟时间Td(on)(ns):36 typ.

上升时间Tr(ns):77 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):120 typ.

下降时间Tf(ns):63 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:650V,12A 0.72Ω N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\.)

企业名：深圳市金城微零件有限公司

类型：经销商

电话： 0755-83683996

联系人：钟丽华

QQ：

邮箱：2355799088@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华富路航都大厦13E（上海宾馆后面） 门市1部：深圳市福田区中航路新亚洲电子商城1C043室 门市2部：深圳福田区华强北中航路都会电子城1C021室