型号	品牌	封装	备注
IRFP064N	IR	TO-247	原装

IRFP064N产品照片：

IRFP064N 

 

 

IRFP064N封装照片：

 

IRFP064N产品描述：

l先进工艺

l超低阻力

l动态dv

/ dt评级

l 175°C

l快速交换

l完全雪崩额定操作温度

l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated

IRFP064N产品说明:

第五代HEXFETs从国际整流器利用先进的加工技术达到极低的导通电阻/硅区域。这个好处,加上快速切换速度和加固的装置设计,HEXFET功率mosfet是众所周知的,为设计师提供了一个非常有效和可靠的设备用于各种各样的应用程序。

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.

商业工业应用的优先- 247包,高功率排除- 220设备的使用。- 247是类似的,但优于早期- 218包,因为它孤立的安装孔。

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because of its isolated mountinghole.

 

额定参数

耐热性

电特性@ TJ = 25°C(除非另有说明)

 

IRFP064N产品大概参数：

一般信息

数据列表 IRFP064NPbF 标准包装   25 包装   散装  类别 分立半导体产品 产品族 FET - 单 系列 HEXFET® 其它名称 *IRFP064NPBF

规格

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 4000pF @ 25V 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 170nC @ 10V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8 毫欧 @ 59A，10V 供应商器件封装 TO-247AC 功率 - 值 200W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 漏源极电压（Vdss） 55V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc） FET 功能 标准 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物

图像和媒体

产品相片 IRFP064N 产品资讯 创立翔科技

企业名：深圳市创立翔科技有限公司

类型：经销商

电话： 0755-88600801

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