Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted

-30V

G1

D

S1

G1

S1

G2

S2

D1

D1

D2

D2

2

4 5

1

3

8

6

7

Top View

SOIC-8

Top View Bottom View

Pin1

G2

D

S2

Symbol

VDS

VGS

IDM

IAS, IAR

EAS, EAR

TJ

, TSTG

Symbol

t ≤ 10s

Steady-State

Steady-State RθJL

TA=70°C 1.3

Junction and Storage Temperature Range -55 to 150 °C

Thermal Characteristics

Parameter Typ Max Units

Gate-Source Voltage ±20 V

Drain-Source Voltage -30

°C/W RθJA

48

74

62.5

V

Parameter Maximum Units

A

ID

-5

-4

-30

14 mJ

17 A

TA=25°C

TA=70°C

Power Dissipation B

PD

Avalanche energy L=0.1mH C

Pulsed Drain Current C

Continuous Drain

Current

TA=25°C

Avalanche Current C

W

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