STP16N65M5

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 12 A

Rds On-漏源导通电阻: 299 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 90 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

高度: 9.15 mm  

长度: 10.4 mm  

系列: STP16N65M5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.6 mm  

商标: STMicroelectronics  

CNHTS: 8541210000  

下降时间: 7 ns  

HTS Code: 8541290095  

MXHTS: 85411001  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 9 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

TARIC: 8541100000  

典型关闭延迟时间: 30 ns  

典型接通延迟时间: 25 ns  

单位重量: 330 mg

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