意法MOS管规格：

    制造商:STMicroelectronics

    安装风格:ThroughHole

    封装/箱体:TO-247-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:600V

    Id-连续漏极电流:17A

    RdsOn-漏源导通电阻:220mOhms

    Vgs-栅极-源极电压:25V

    工作温度:-55C

    工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:140W

    通道模式:Enhancement

    封装:Tube

    高度:20.15mm

    长度:15.75mm

    系列:N-channelMDmesh

    晶体管类型:1N-Channel

    宽度:5.15mm

    商标:STMicroelectronics

    下降时间:48ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:16ns

    工厂包装数量:600

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:70ns

    典型接通延迟时间:18ns

    单位重量:38g

    意法MOS管特性：

    100％雪崩测试

    低输入电容和栅极电荷

    低栅极输入电阻

    极高的dv / dt和雪崩

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