贴片场效应管规格：

    制造商:Vishay

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-23-3

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:P-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:-20V

    Id-连续漏极电流:-3.1A

    RdsOn-漏源导通电阻:112mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:-0.4V

    Vgs-栅极-源极电压:-4.5V

    Qg-栅极电荷:10nC

    工作温度:-55C

    工作温度:+150C

    配置:Single

    Pd-功率耗散:1.6W

    通道模式:Enhancement

    商标名:TrenchFET

    封装:CutTape

    晶体管类型:1P-Channel

    正向跨导-值:9.5S

    下降时间:10ns

    上升时间:35ns

    工厂包装数量:3000

    典型关闭延迟时间:30ns

    典型接通延迟时间:11ns

    零件号别名:SI2301CDS-GE3

    单位重量:8mg

    场效应管工作原理：

    用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

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