100v场效应管规格：

    制造商:STMicroelectronics

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:H2PAK-2

    通道数量:1Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:100V

    Id-连续漏极电流:110A

    RdsOn-漏源导通电阻:3.4mOhms

    Vgsth-栅源极阈值电压:2.5V

    Vgs-栅极-源极电压:20V

    Qg-栅极电荷:117nC

    工作温度:-55C

    工作温度:+175C

    Pd-功率耗散:250W

    通道模式:Enhancement

    封装:TapeandReel

    系列:N-channelSTripFET

    晶体管类型:1N-Channel

    商标:STMicroelectronics

    下降时间:33ns

    上升时间:57ns

    工厂包装数量:1000

    典型关闭延迟时间:72ns

    典型接通延迟时间:33ns

    场效应管的命名方法：

    现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

    第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

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