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场效应管 N沟道 电压60V 电流1.7A FDN5630

场效应管 N沟道 电压60V 电流1.7A FDN5630
场效应管 N沟道 电压60V 电流1.7A FDN5630
  • 型号/规格:

    FDN5630

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD(飞兆)

  • 封装形式:

    SOT23-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

VIP会员 第 17
  • 企业名:日新微电子(深圳)有限公司

    类型:原厂制造商

    电话: 0755-83525113

    手机:15986655004

    联系人:郭泽斌

    QQ: QQ:2851286825

    微信:

    邮箱:rxdzic@163.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

商品信息 更新时间:2018-08-16


制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 73 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 6 ns
正向跨导 - 值: 6 S
高度: 0.94 mm
长度: 2.92 mm
工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 6 ns
系列: PowerTrench
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN5630_NL
单位重量: 30 mg






FDN5630FDN5630FDN5630

联系方式

企业名:日新微电子(深圳)有限公司

类型:原厂制造商

电话: 0755-83525113

手机:15986655004

联系人:郭泽斌

QQ: QQ:2851286825

微信:

邮箱:rxdzic@163.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

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