制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

高度: 1.1 mm  

长度: 6 mm  

系列: FDMS7650  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: Power Trench MOSFET  

宽度: 5 mm  

商标: ON Semiconductor / Fairchild  

正向跨导 - 值: 267 S  

下降时间: 21 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 24 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 83 ns  

典型接通延迟时间: 28 ns  

单位重量: 90 mg

MOSFET

全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。

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