KIA12N60H
KEC
TO-220
无铅环保型
直插式
管装
1825+
25000
企业名:蓝界科技(深圳)有限公司
类型:经销商
电话:
0755-23994969
0755-82767515
手机:13312935954
联系人:张桐/苏玥
邮箱:szhmw168@163.com
地址:广东深圳本司可开13%税票 !福田区华强北路交通银行大厦601室
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化层位于其通道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(silicon dioxide,SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride,SiON)做为氧化层之用。今日半导体元件的材料通常以硅(silicon)为,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中的例如IBM使用硅与锗(germanium)的混合物所发展的硅锗制程(silicon-germanium process,SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(gallium arsenide,GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造MOSFET元件。
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