制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

系列: TJ60S06M3L  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 5.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 250 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 100 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 970 ns  

典型接通延迟时间: 127 ns  

单位重量: 340 mg

       金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

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