CSD17577Q3A
TI
DFN3x3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
企业名:蓝界科技(深圳)有限公司
类型:经销商
电话:
0755-23994969
0755-82767515
手机:13312935954
联系人:张桐/苏玥
邮箱:szhmw168@163.com
地址:广东深圳本司可开13%税票 !福田区华强北路交通银行大厦601室
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 83 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 53 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 3.15 mm
系列: CSD17577Q3A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 值: 76 S
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
单位重量: 27.700 mg
金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。以金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料,但随着半导体技术的进步,现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而IGFET的栅极绝缘层,有可能是其他物质,而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管组件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(Å)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不过有些新的制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做为氧化层之用。今日半导体组件的材料通常以硅为,但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程,当中的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程(SiGe process)。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料,如砷化镓(GaAs),因为无法在表面长出品质够好的氧化层,所以无法用来制造金氧半场效晶体管组件。当一个够大的电位差施于金氧半场效晶体管的栅极与源极之间时,电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷,而这时就会形成所谓的“反转沟道”(inversion channel)。沟道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是n型,那么沟道也会是n型。沟道形成后,金氧半场效晶体管即可让电流通过,而依据施于栅极的电压值不同,可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
企业名:蓝界科技(深圳)有限公司
类型:经销商
电话:
0755-23994969
0755-82767515
手机:13312935954
联系人:张桐/苏玥
邮箱:szhmw168@163.com
地址:广东深圳本司可开13%税票 !福田区华强北路交通银行大厦601室