制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-6

商标名: TrenchFET

高度: 1.1 mm  

长度: 3.05 mm  

系列: SI3  

宽度: 1.65 mm  

商标: Vishay / Siliconix  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

零件号别名: SI3552DV-E3  

单位重量: 20 mg

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

基本信息

中文名称

金属-氧化层 半导体场效晶体管

外文名称

MOSFET

核心

金属—氧化层—半导体电容

发明时间

1960年

发明人

D. Kahng和 Martin Atalla

发明机构

贝尔实验室（Bell Lab.）

金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。

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