制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 61 A

Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 86 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

系列: OptiMOS Fast Diode  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 60 S  

下降时间: 8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

零件号别名: IPP220N25NFD SP001108126  

单位重量: 6 g

NMOS的漏极电流与漏极电压之间在不同VGSVth的关系

MOSFET在线性区操作的截面图

MOSFET在饱和区操作的截面图依照在MOSFET的栅极、源极，与漏极等三个端点施加的“偏压”（bias）不同，一个常见的加强型（enhancement mode）n-type MOSFET有下列三种操作区间：截止或次临限区（cut-off or sub-threshold region）　当栅极和源极间的电压VGS（G代表栅极，S代表源极）小于一个称为临界电压（threshold voltage,Vth）的值时，这个MOSFET是处在“截止”（cut-off）的状态，电流无法流过这个MOSFET，也就是这个MOSFET不导通。

但事实上当VGS>Vth、且VDS=0，一些拥有大量MOSFET的积体电路产品，如DRAM，次临限电流往往会造成额外的能量或功率消耗。

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