制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 172 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 44 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 1 mm  

长度: 6 mm  

系列: CSD18532Q5B  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 值: 143 S  

下降时间: 3.1 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7.2 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 22 ns  

典型接通延迟时间: 5.8 ns  

要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面↑）。

若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷（如图3）。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压（ID=0）。

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